TORAY LC-750L 在高纯气体纯化与工艺腔体 Purge 中的微量氧应用

更新时间：2026-06-04

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半导体薄膜沉积（CVD/PVD）、外延生长及光刻胶烘焙等工序，要求在 ISO 4～5 级环境 + 超高纯惰性气体保护（O₂＜0.1～1ppm） 下进行。哪怕是数 ppm 的氧渗入，也会导致栅氧层界面缺陷、金属布线氧化或良率波动。

TORAY LC-750L 低浓度氧化锆氧分析仪，专为此类高纯特气微量氧监测设计，广泛应用于以下半导体关键节点：

制氮机/气体纯化装置出口监测
验证 PSA/膜分离或催化脱氧纯化柱后的 N₂ 是否达标（如 O₂＜1ppm），判断是否需切换纯化柱或触发再生。
工艺腔体 Purge（吹扫）气验证
在 Load Lock / Transfer Module 吹扫阶段，取样分析排气的氧浓度衰减曲线，确认腔体已达工艺允许的上限含氧量后再开始工艺，避免交叉污染。
大宗特气柜（VMB）支路监控
对 Ar、He 等载气或保护气做在线抽检，确保特气供应商纯度符合 Fab 厂规格（Spec）。

10ppm / 100ppm 固定量程可选：针对高纯 N₂ 监测推荐 0～10ppm 量程，针对一般 Purge 排气可选 0～100ppm，避免过量程导致低浓度盲区；
耐污染设计：可选配硅过滤器（吸附含硅气体，如 TEOS 残留）及活性炭过滤器，防止工艺残余气体劣化传感器——这点对 Fab 厂尤为重要；
SEMI 风格集成：4～20mA + RS-232C 通信，可接入 Fab 厂气体管理系统（GMS）；小巧机身支持面板安装或台式放置于 Sub-fab 气柜旁；
参比气体为大气：无需额外参比气瓶，降低运行成本与气源管理负担。

顺磁式虽精度高但通常下限在 % 级或数百 ppm，不适合 10ppm 以下特气验证；
电化学在 ppb～ppm 有应用，但漂移大、需频繁标定、对温湿敏感；
LC-750L 氧化锆法：兼顾低量程（10ppm）、长稳、少维护，是半导体厂常用的在线连续监测方案，特别适合纯化装置出口及关键 Purge 点。

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