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更新时间:2026-10-28
浏览次数:9在半导体前道设备中,刻蚀、CVD/ALD、超临界清洗、固态源气化等工艺,常把工艺气体或前驱体加热到 150–200℃ 再进入腔体。
常规压力传感器介质耐温多停在 70–120℃,要么外置引压管+冷却盘管,要么牺牲响应速度——介质滞留、冷凝析出、压力滞后,都会让工艺闭环“慢半拍"。
长野计器(NAGANO KEIKI)ZT17(200℃版)的思路是: 把感压头做成耐 200℃ 的干式结构,探头贴高温管,放大器放常温区。
ZT17 采用分体式结构:
探头侧:焊接式感压元件,直接接 1/4 VCR / 3/8 VCR 高洁净管口,介质温度 -20~200℃
无封装液(干式):不灌传递油,靠自研半导体应变元件直接感压,避免高温下封液挥发、析出污染高纯气路
放大器侧:专用放大器单元工作 -20~50℃,放电控柜/常温区,M12 连接,带外部零点调节
信号输出:4–20mA 两线 / 1–5V 三线,10–30VDC 供电,对接 PLC 或采集模块
测量链路上没有“引压冷却段",气体不降温、不冷凝、不滞留,压力响应更贴近腔体真实状态。
200℃原位测量:固态源气化器出口、伴热供气管可直接装探头,省冷却组件
无封入液:降低填充油析出污染高纯介质的风险,适配 EP/UC 洁净等级思路
低死体积焊接结构:接液部 SUS316L,氦检漏 ≤5×10⁻¹² Pa·m³/s,内表面处理降低颗粒滞留
分体耐温:电路避高温,延长放大器寿命,设备布局更灵活
温补可控:15–200℃补偿区,零点漂移 ±1%FS、量程漂移 ±3%FS;23℃基准精度 ±0.5%FS
合规:CE / UKCA / RoHS,适配出口半导体设备配套
项目 | 参数 |
|---|---|
介质耐温 | -20 ~ 200℃(无结露结冰) |
量程 | 表压/复合压:-0.1~0.3 / 0.5 / 1 / 2 / 3.5 / 5 / 10 / 20 MPa |
精度(23℃) | ±0.5% F.S.(含线性、迟滞、重复性) |
温漂 | ZERO ±1.0%FS / SPAN ±3.0%FS(15–200℃) |
输出 | 4–20mA 两线 或 1–5V 三线 |
供电 | 10–30V DC |
接液材质 | SUS316L(可选钴镍合金感压面) |
接口 | 1/4 VCR、1/2(3/8) VCR、1/4 UJR |
放大器环境 | -20~50℃,需远离高温区 |
认证 | CE、UKCA、RoHS(无防爆认证) |
固态源气化装置:前驱体 160–200℃ 气化后直测出口压力,防冷凝堵管
干法刻蚀:预热工艺气/远程等离子供气支路压力闭环
CVD / ALD:薄膜沉积腔前供气压力稳定,影响膜厚均匀性
超临界 CO₂ 清洗:近 200℃ 高压流体管路压力监控
扩散/退火炉前支管:高温载气进气压力监测
Gas Box 高温支路:伴热特种气、腐蚀性气体小死腔测量
对比 ZT17-120℃ 充液版:200℃版取消封液,适合“高温+高纯+不能滞气"的测点。
探头尽量靠近气化器出口/腔体进气口,少接短管
管路伴热与探头耐温区保持一致,避免接头处温差冷凝
放大器端做 DIN 导轨安装,留零点调节可达性
调试阶段:先 23℃零点校准,再带温做工艺压力比对
运维:查漏用氦检,不拆焊;内腔清洗按半导体洁净规范执行
高温工艺压力监测,难点不在“测到",而在“测得干净、测得跟手"。
ZT17(200℃)的价值,是先把引压冷却链拆掉:无封液、低死腔、分体耐温、原位响应——把压力信号尽量还原成工艺真实状态。
前道高温气路测点,选它逻辑很简单:
探头耐得住 200℃,放大器待在常温区,气路不留油、不滞气。
长野计器 NKS ZT17(120℃/200℃)原厂体系供货
可提供:规格书、外形图、VCR 接口尺寸、洁净等级说明、工况选型核对
适配:半导体设备厂内置集成、Gas Box 改造、前驱体气化系统压力闭环
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